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NCEP018N30GU电子元器件/NCE 封装DFN5X6-8L

2022-10-31 20:25IP属地 广东340
 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 沟槽型(Trench)功率MOSFET 产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等并持续推进产品迭代,以丰富的产品系列、业内先的参数性能与优异的可靠性成为行业标杆。产品广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个域。
同时提供丰富的封装外形供客户选择,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。

产品优势: 导通电阻低、 开关特性优良、精细化器件结构


产品应用:

电池管理系统 (BMS) 是一种电子控制电路,可监控并调节电池的充放电,并对整个系统进行调节。随着高功率密度的锂电池在日常生活中日益普及,随之配套的锂电池管理系统技术BMS也运营而生。BMS用于控制锂电池的充放电情况,控制充放电回路工作在适当的条件下,并且在锂电池面临失控的时候及时切断锂电池的通路,保证电池的安全性。


新洁能针对电池管理系统的安全及可靠需求,开发出具有良好的抗电流冲击能力的优秀产品,可以充分保证被控电池周边人员的安全,大的提高应用的可靠性也更能保证整个电池管理系统的正常运行。例如Super Trench MOSFET 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅电荷(Qg),全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。


推荐产品:

充放电MOS:
N-channel Trench MOEFET:VDS=30V-150V Ron@10V(max)<11mΩ
N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET:VDS=30V-150V Ron@10V(max)<10mΩ

均衡MOS:
P-channel Trench MOSFET:VDS=-20V Ron@4.5V(max)=40mΩ-70mΩ VDS=-30V Ron@4.5V(max)=35mΩ-95mΩ

N-channel Trench MOEFET:VDS=20V Ron@4.5V(max)=15mΩ-45mΩ VDS=30V Ron@4.5V(max)=15mΩ-75mΩ

 

NCEP018N30GU 技术参数

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